强吸收薄膜的中子反射测量及其在 10B4C 基中子探测器中的应用

中子反射测量是用于研究表面与界面的有力工具。通常所研究典型材料中的吸收可忽略，该技术仅限于反射率测量。对于强吸收核，中子数不守恒，可利用中子诱导荧光技术直接测量吸收，该技术利用吸收同位素的瞬发粒子发射。此技术兴起于软物质与生物学，其中高吸收核（通常量极少）被用作埋层的标记。如今，高吸收层的重要性迅速增加，部分原因在于其在中子探测中的应用；该领域也由于 3He 短缺而变得愈发活跃。本手稿将中子诱导荧光技术扩展至高吸收材料厚层的研究；特别是 10B4C。中子反射测量理论是常见研究课题，但中子反射与吸收之间的微妙关系却鲜为人知，尤其在存在强吸收时。我们发展了通用吸收层堆叠的理论并与测量对比。这一新技术有潜力作为表征高吸收层的工具。我们还报道了 10B4C 层若要用作中子探测中的转换层所必须满足的要求。