Fe3O4、MgO和Sr2RuO4薄膜的亚晶胞层-by-层生长
材料科学
2009-11-07 v1
摘要
在氧化物电子学中使用氧化物材料需要其受控的外延生长。最近表明，反射高能电子衍射（RHEED）允许即使在高压氧气下也能监测氧化物薄膜的生长。在这里，我们报告了使用脉冲激光沉积（PLD）从化学计量靶材进行Sr2RuO4、MgO和磁铁矿氧化物材料的亚晶胞分子或块层生长。对于诸如SrTiO3或掺杂LaMnO3的钙钛矿，单个RHEED强度振荡对应于单个晶胞的生长；而在晶胞由具有相同化学计量的几个分子层或块组成的材料中，确立了亚晶胞分子或块层生长，导致在单个晶胞生长期间出现多个RHEED强度振荡。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0208495,
title = {Sub-unit cell layer-by-layer growth of Fe3O4, MgO, and Sr2RuO4 thin films},
author = {D. Reisinger and B. Blass and J. Klein and J. B. Philipp and M. Schonecke and A. Erb and L. Alff and R. Gross},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0208495},
year = {2009}
}