300mm 制造工艺中亚 40mV σ(VTH_ON) IGZO nFET
材料科学
2024-11-26 v1
摘要
已在 300mm 制造工艺中实现背栅和双栅 IGZO nFET，尺寸分别降至 120nm 和 70nm。尽管前侧栅极集成难以掩盖 IGZO 氧空位，但通过对接触和材料工程进行设计实验的放大，已优化了背栅工艺流程。我们成功实现了规模化 IGZO nFET 中亚 40mV σ(VTH_ON)。就性能和 VTH_ON 控制而言，还报告了一种新的 IGZO 相。我们提出一种掺杂位置模型，以更好解释文献中报告的实验结果。
引用
@article{arxiv.2411.16299,
title = {Sub-40mV Sigma-VTH IGZO nFETs in 300mm Fab},
author = {Jerome Mitard and Luka Kljucar and Nouredine Rassoul and Harold Dekkers and Michiel van Setten and Adrian Vaisman Chasin and Geoffrey Pourtois and Attilio Belmonte and Gabriele Luca Donadio and Ludovic Goux and Ming Mao and Harinarayanan Puliyalil and Lieve Teugels and Diana Tsvetanova and Manoj Nag and Soeren Steudel and Jose Ignacio del Agua Borniquel and Jothilingam Ramalingam and Romain Delhougne and Chris J. Wilson and Zsolt Tokei and Gouri Sankar Kar},
journal= {arXiv preprint arXiv:2411.16299},
year = {2024}
}