基于有机和无机原子单层的 MOS/MOSFET 中的电子输运研究
介观与纳米尺度物理
2014-09-24 v1 计算物理
摘要
有机和无机单层材料因其在潜在纳米电子学应用中的广泛研究兴趣而备受关注。在本工作中，我们研究了有机单层，如三氯(1H,1H,2H,2H-全氟辛基)硅烷（FOTS）、六甲基二硅氮烷（HMDS），以及无机单层，如六方氮化硼（h-BN）和二硫化钼（MoS2）基的 MOS 器件。基于有机单层的配置是 Au/FOTS/p-Si 和 Au/HMDS/p-Si。基于无机单层的配置是 Au/MoS2/SiO2/p-Si 和 Au/h-BN/SiO2/p-Si。我们使用多介质能带图程序（MEBDP）和 MOSFeT 仿真软件对这些配置进行了检验，并与 Au/SiO2/p-Si MOS 配置进行了比较。报告了 FOTS、HMDS、h-BN、MoS2 和 SiO2 的 MOS 和 MOSFET 的 C-V 和 I-V 特性。结果表明，上述配置适用于设计具有更小漏致势垒降低（DIBL）和降低阈值电压的 MOSFET。我们注意到，上述配置优于基于 2nm 厚 SiO2 介质、沟道长度为 10nm 的 MOSFET。
引用
@article{arxiv.1409.6419,
title = {Study of Electron Transport in Organic and Inorganic Atomic Monolayer Based MOS/MOSFET},
author = {J. Cyril Robinson Azariah and U. Satheesh and D. Devaprakasam},
journal= {arXiv preprint arXiv:1409.6419},
year = {2014}
}
备注
7 pages, 7 figures, 2 tables, Nanocon2014