用于机电应用的 Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15 薄膜中畴切换的压电响应力显微镜研究
材料科学
2025-05-02 v1
摘要
尝试利用脉冲激光沉积(PLD)合成 (Ca0.4Sr0.6)Bi4Ti4O15(CSBT) 薄膜，并成功优化了沉积条件。基于物相、成分与形貌研究，在 650 oC 的衬底温度下获得了具有所需物相的优质薄膜。发现高度 c 轴取向的薄膜，平均厚度为 330-400 nm，平均晶粒尺寸为 40-65 nm。压电响应力显微镜(PFM)通过切换光谱显示了完整的畴反转。获得了约 120 pm/V 的较高有效 d33* 值。结果表明 CSBT 在机电应用中具有巨大潜力。
引用
@article{arxiv.1810.02192,
title = {Study of domain switching using piezoresponse force microscopy in Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15 thin film for electromechanical applications},
author = {Supratim Mitra and Satakshi Gupta and Aneesh M. Joseph and Umesh Kumar Dwivedi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.02192},
year = {2025}
}
备注
14 pages, 4 figures