多铁性Bi-弛豫体的制备与表征
材料科学
2010-02-09 v1
摘要
我们比较了化学溶液沉积(CSD)和脉冲激光沉积(PLD)制备的新型室温单相多铁磁电材料[PbFe2/3W1/3O3]x[PbZr0.53Ti0.47O3]1-x (PZTFWx ~ 0.40<x<0.20)的样品，其极化强度、损耗(<1%)和电阻率(通常为10^8 ohm.cm)等于或优于BiFeO3。通过CSD在镀铂硅衬底上制备了单相多晶多铁性PZTFWx薄膜，并通过PLD在MgO衬底上制备了外延单晶薄膜。在这些材料中观察到高介电常数(1200-3000)、高极化强度(30-60微库仑/平方厘米)、弱饱和磁化强度(0.48-4.53 emu/cm^3)、宽介电温度峰、高频色散、低介电损耗和低漏电流，表明该系列材料可作为室温多铁器件的候选材料。这些材料中的铁电开关可以通过施加磁场来抑制或猝灭。
引用
@article{arxiv.1002.1637,
title = {Processing and Characterization of Multiferroic Bi-relaxors},
author = {Ashok Kumar and R. S. Katiyar and J. F. Scott},
journal= {arXiv preprint arXiv:1002.1637},
year = {2010}
}
备注
23 pages, 16 figures