薄膜铁电畴壁上的横向压电响应
材料科学
2015-05-19 v1
摘要
在纯c轴取向的PbZrTiO铁电薄膜中，在面外极化反转的180{\deg}畴壁位置观察到横向压电力显微镜信号。通过电力显微镜测量，我们排除了静电效应作为该信号的来源。此外，我们对针尖/悬臂系统的力学模拟表明，畴壁处表面在针尖下方的微小倾斜也不能令人满意地解释所观察到的信号。因此，我们将畴壁处的这种横向压电响应归因于其在施加电场下的侧向运动（剪切）。根据简单的弹性考虑和晶胞体积守恒，我们预期在其他铁电材料中，以及在所有通过畴壁反转极化面外分量的畴壁类型中，都会出现类似的横向信号。我们证明，在具有180、109和71{\deg}畴壁的BiFeO薄膜中，情况确实如此。
引用
@article{arxiv.1006.1237,
title = {Lateral piezoelectric response across ferroelectric domain walls in thin films},
author = {J. Guyonnet and H. Bea and P. Paruch},
journal= {arXiv preprint arXiv:1006.1237},
year = {2015}
}
备注
31 pages, 10 figures. to appear in J. Appl. Phys. Special topic: invited papers from the international symposium on piezoresponse force microscopy and nanoscale phenomena in polar materials. Aveiro - portugal 2009