在薄膜 BiFeO$_3$ 中通过应变工程获得多铁单畴
强关联电子
2019-02-20 v1
摘要
铁性材料中畴的存在会对宏观性质产生负面影响，从而影响其在器件应用中的效用。从实验角度看，测量包含多畴的材料会使材料性质及其潜在机制的解释复杂化。一般而言，BiFeO 薄膜倾向于以多磁畴生长，且常包含多种铁电和铁弹畴变体。通过在正交晶系 TbScO 衬底上生长 (111) 取向的 BiFeO 薄膜，我们能够克服这一问题，并利用磁结构与晶体结构之间的磁弹性耦合，偏置给定磁畴、铁电畴和结构畴薄膜的生长。我们进一步通过展示该畴中的磁极性在 180 铁电翻转时发生反转，证明了磁结构对铁电极化的耦合。
引用
@article{arxiv.1808.10666,
title = {Strain engineering a multiferroic monodomain in thin-film BiFeO$_3$},
author = {N. Waterfield Price and A. M. Vibhakar and R. D. Johnson and J. Schad and W. Saenrang and A. Bombardi and F. P. Chmiel and C. B. Eom and P. G. Radaelli},
journal= {arXiv preprint arXiv:1808.10666},
year = {2019}
}
备注
8 pages, 3 figures