畴壁磁电性的朗道理论
材料科学
2013-05-29 v2
摘要
我们计算了具有双二次耦合的两个序参量的多铁性系统中畴壁性质的精确解析解。然后将其应用于磁电多铁性材料（如BiFeO3）的情况，旨在批判性地检验畴壁是否能解释该材料薄膜中报道的磁化增强现象，考虑到随着薄膜变薄，磁化增强与畴壁体积分数增加之间的相关性。本分析可推广到描述一类基于畴壁而非体性质工作的磁电器件。
引用
@article{arxiv.1002.3819,
title = {Landau Theory of Domain Wall Magnetoelectricity},
author = {Maren Daraktchiev and Gustau Catalan and James F. Scott},
journal= {arXiv preprint arXiv:1002.3819},
year = {2013}
}
备注
9 pages, 4 figures