拓扑绝缘体PbSnTe衬底上生长的CoFeB晶体结构研究
材料科学
2017-12-19 v3
摘要
采用激光分子束外延（LMBE）方法在Pb0.71Sn0.29Te拓扑绝缘体衬底上生长Co40Fe40B20层，并研究了生长条件。首次展示了在拓扑绝缘体表面生长铁磁体外延层的可能性。所获得的Co40Fe40B20层具有bcc晶体结构，其晶面（111）平行于PbSnTe的（111）面。利用反射高能电子衍射（RHEED）图样倒易空间中的三维映射，得以确定薄膜与拓扑绝缘体衬底之间主要晶体学轴的取向关系。衍射图样中某些反射的猝灭可证实衬底的化学计量比。
引用
@article{arxiv.1712.01585,
title = {Studies of CoFeB crystalline structure grown on PbSnTe topological insulator substrate},
author = {Andrey K. Kaveev and Nikolay S. Sokolov and Sergey M. Suturin and Nikita S. Zhiltsov and Alexander E. Klimov and Oleg E. Tereshchenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.01585},
year = {2017}
}
备注
2 pages, 1 figure