基于氧离子注入的高迁移率二维电子系统结构化背栅
介观与纳米尺度物理
2016-04-20 v2
摘要
我们提出了一种与最高迁移率分子束外延要求兼容的背栅图形化新方法。与常见背栅技术相反，我们的方法简单、可靠且可扩展到整个晶圆。背栅结构通过向硅掺杂的GaAs外延层中局部注入氧来定义，其在不影响表面质量的情况下抑制电导。
引用
@article{arxiv.1601.01889,
title = {Structured Back Gates for High-Mobility Two-Dimensional Electron Systems Using Oxygen Ion Implantation},
author = {Matthias Berl and Lars Tiemann and Werner Dietsche and Helmut Karl and Werner Wegscheider},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.01889},
year = {2016}
}
备注
The following article has been submitted to Applied Physics Letters