用于 MBE 生长最高迁移率二维电子系统的 GaAs 中施主离子注入背栅
应用物理
2021-08-11 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
将硅、硒、碲三种不同元素离子注入砷化镓中，以形成导电层，作为分子束外延（MBE）过生长二维电子气（2DEG）的背栅。重离子碲在砷化镓中造成过多损伤而无法形成导电层，而硅与硒结合 MBE 生长的高质量 2DEG 均展现出有前景的结果。硅与硒注入结构均实现了与未注入参考样品相近的 2DEG 迁移率。背栅的独立接触颇具挑战。然而，在 MBE 生长前退火的硅注入结构形成了可用背栅，且 2DEG 的电子密度可通过背栅调控。
引用
@article{arxiv.2103.14543,
title = {Donor implanted Back-gates in GaAs for MBE-grown highest mobility two-dimensional electron systems},
author = {Jan Scharnetzky and Philipp Baumann and Christian Reichl and Helmut Karl and Werner Dietsche and Werner Wegscheider},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.14543},
year = {2021}
}
备注
10 pages, 4 figures