MoS₂ 上锗烯的结构与电子特性
材料科学
2017-06-05 v1
摘要
迄今为止，锗烯仅在金属衬底上合成。金属衬底通常不利于锗烯的二维狄拉克特性，因为锗烯费米能级附近的重要电子态可能与金属衬底的电子态杂化。在此，我们报道了在带隙材料二硫化钼 (MoS₂) 上成功合成锗烯。MoS₂ 表面预先存在的缺陷充当了锗烯岛的优先成核位点。锗烯层的晶格常数 (3.8 ± 0.2 Å) 比 MoS₂ 衬底的晶格常数 (3.16 Å) 大约 20%。扫描隧道谱测量和密度泛函理论计算揭示，除了 点处的线性色散带之外，还有两个抛物线带在 点处穿过费米能级。
引用
@article{arxiv.1706.00680,
title = {Structural and electronic properties of germanene on MoS$_2$},
author = {L. Zhang and P. Bampoulis and A. N. Rudenko and Q. Yao and A. van Houselt and B. Poelsema and M. I. Katsnelson and H. J. W. Zandvliet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.00680},
year = {2017}
}