通过表面吸附实现锗烯的可调带隙
介观与纳米尺度物理
2015-06-18 v1 材料科学
摘要
在零带隙的锗烯中打开一个可观的带隙而不严重损失载流子迁移率，是其应用于室温下工作的高性能场效应晶体管（FET）等纳米电子器件的关键问题。通过第一性原理计算，我们发现碱金属（AM）原子的单侧吸附可在锗烯的狄拉克点处打开一个带隙。该带隙可通过改变碱金属原子的覆盖度和种类进行调节，范围从0.02 eV到0.31 eV，最大全局带隙为0.26 eV。由于表面吸附后锗烯在狄拉克点附近的电子和空穴有效质量很小（范围从0.005到0.106 me），预计载流子迁移率不会显著降低。因此，经过表面吸附的锗烯是室温下有效FET沟道的潜在候选材料。
引用
@article{arxiv.1312.5445,
title = {Tunable band gap in germanene by surface adsorption},
author = {Meng Ye and Ruge Quhe and Jiaxin Zheng and Zeyuan Ni and Yangyang Wang and Yakun Yuan and Geoffrey Tse and Junjie Shi and Zhengxiang Gao and Jing Lu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.5445},
year = {2015}
}
备注
17 pages, 6 figures