通过 H 插层实现锗烯与 GaAs(0001) 的弱相互作用：一种剥离途径
介观与纳米尺度物理
2014-10-09 v2
摘要
利用-计算研究了在半导体 GaAs(0001) 衬底上外延生长锗烯的过程。研究发现锗烯与衬底的相互作用极小。我们的结果强烈表明，可以将锗烯从衬底上剥离以使其成为自由站立状态。我们展示了一种实现该目标的方法。我们还探讨了 GaAs(0001) 衬底上锗烯的电子结构，发现 Dirac 锥移至费米能级上方，分裂能为 160 meV。此外，我们计算了有无衬底情况下自由站立锗烯的能带结构，发现由于内禀自旋轨道耦合导致了 24 meV 的带隙。
引用
@article{arxiv.1310.7688,
title = {Weak interaction between germanene and GaAs(0001) by H intercalation: A route to exfoliation},
author = {T. P. Kaloni and U. Schwingenschlögl},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.7688},
year = {2014}
}
备注
11 pages, 3 figures, and 1 table