体半导体中应力量调制的光自旋注入
材料科学
2018-04-05 v1
摘要
报道了应力作用下体 Si 与体 GaAs 中自旋极化度(DSP)的全能带结构第一性原理计算。对于 Si，我们发现压应力使 DSP 信号峰的幅度略有减小，并向更高能量移动。
引用
@article{arxiv.1804.01219,
title = {Stress modulated optical spin-injection in bulk semiconductors},
author = {Jose Luis Cabellos and Cuauhtemoc Salazar and Bernardo S. Mendoza},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.01219},
year = {2018}
}