SiC 功率 MOSFET 单事件穿透的随机一次穿越建模
统计力学
2026-05-05 v1 应用物理
摘要
硅碳化物（SiC）功率 MOSFET 的单事件穿透（SEB）常以确定性阈值量量表述。在恢复与失控之间边界处，随机变异性会使该阈值描述从尖锐转化为概率性。本文引入一次穿越视角，用于随机阈值扩宽的燃烧。该过程由带有吸收边界的简化电-热反馈-松弛模型描述。该模型结合载流子乘子、雪崩反馈、局部加热、载流子损失与热松弛。随机载流子与热项代表未解决的事件级变异性。主要发现在确定性燃烧阈值上引入有限波动，使之拓宽为概率性过渡带。噪声诱导的亚阈值失控也出现，名义上可恢复的条件仍可通过稀有随机扰动而失败。一次穿越时间分布解析燃烧的时间尺度，存活概率进一步区分快速反馈支配的失控与延迟的随机失效。反馈-松弛相位图组织可恢复、概率性和快速不稳定的情形。该框架通过将粗糙电-热动力学关联到概率性与时间分辨的失效可观测量，为 SiC 功率 MOSFET 单事件穿透的阈值离散提供了统计物理解释。
引用
@article{arxiv.2605.02478,
title = {Stochastic first-passage modeling of single-event burnout in SiC power MOSFETs},
author = {Feiyi Liu and Min Guo and Shiyang Chen and Yuhan Jiang and Mingyang Liu and Yang Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2605.02478},
year = {2026}
}