量子电容介观涨落的统计

重新分析了d维介观立方体的双探针直流电导G的Thouless公式 $G = (e^2/h)(E_c/\Delta)$，以将其量子电容 $C_Q$ 与能级间距 $\Delta$ 的倒数联系起来。为此，Thouless相关能量 $E_c = \hbar/\tau$ 中出现的逃逸时间尺度 $\tau$ 被解释为时间常数 $\tau = RC_Q$，其中 $RG \equiv 1$，立即得到 $C_Q = (e^2/2\pi \Delta)$。因此，量子电容的统计直接与能级间距的统计相关，而能级间距的统计对于所有三类统计系综的随机矩阵理论是众所周知的。讨论了这种量子电容如何在纯量子电阻情况下产生的基本问题，以及其相对于与之串联的外部几何电容的可观测性。