基于分子流层析生长的型II Ge 量子点/Si异质结构的光泵 Terahertz 幅度调制
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2024-07-04 v1 机器学习
摘要
本文利用分子束外生长（MBE）制备的型II德国仑姆（Ge）量子点（QDs）硅垂直介质（SOI）结构，探索其在太赫兹（THz）频段的光学行为。本文中，由上波长近红外泵浦的Ge量子点表现出0.1-1.0 THz频率范围内的THz幅度调制。由于在弱约束量子点相对于其bulk 结构产生更高的载流子， epitaxial Ge量子点在THz幅度调制方面优于参考SOI衬底。这一现象进一步通过基于非平衡Green函数（NEGF）方法的理论模型得到证实。该模型使我们能够计算光生载流子（PCG）及其在Ge量子点区域的约束情况。我们的模型还将PCG重路由到相应的等离子频率，从而推导至折射率和THz光致导电性。此外，在光照照射后，Ge量子点-Si界面处光生约束空穴积聚增加，导致THz光致导电性下降。这种对THz光致导电性的增强，使Ge量子点-Si界面处的THz调制深度相较于裸SOI在0.1 THz处提升约77%。
引用
@article{arxiv.2407.03082,
title = {Stable Heterogeneous Treatment Effect Estimation across Out-of-Distribution Populations},
author = {Yuling Zhang and Anpeng Wu and Kun Kuang and Liang Du and Zixun Sun and Zhi Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2407.03082},
year = {2024}
}
备注
Accepted by ICDE'2024