Pd/Ir界面的比电阻
材料科学
2009-11-13 v1
摘要
通过对溅射Pd/Ir多层膜的面内垂直电流（CPP）总比电阻（AR = 面积乘电阻）的测量，我们推导出这一具有极其相近晶格参数的金属对的界面比电阻为 2AR(Pd/Ir) = 1.02 +/- 0.06 fOhmm^2。假设采用平均晶格参数的单相fcc晶体结构，仅包含spd轨道的无自由参数计算给出，对于完美界面，2AR(Pd/Ir)(Perf) = 1.21 +/-0.1 fOhmm^2，对于由两层50%-50%随机合金单层组成的界面，2AR(Pd/Ir)(50/50) = 1.22 +/- 0.1 fOhmm^2。在相互的不确定度内，这些值刚好落在实验值范围之外。加入f轨道的更新计算给出 2AR(Pd/Ir)(Perf) = 1.10 +/- 0.1 fOhmm^2 和 2AR(Pd/Ir)(50-50) = 1.13 +/- 0.1 fOhmm^2，这些值现在与实验值相符。我们还利用f轨道更新了对其他金属对的计算。
引用
@article{arxiv.0812.4421,
title = {Specific Resistance of Pd/Ir Interfaces},
author = {R. Acharyya and H. Y. T. Nguyen and R. Loloee and W. P. Pratt and J. Bass and Shuai Wang and Ke Xia},
journal= {arXiv preprint arXiv:0812.4421},
year = {2009}
}
备注
3 pages, 1 figure, in press in Applied Physics Letters