Ag/Al界面比电阻对界面互混的敏感性
材料科学
2015-05-13 v1
摘要
我们测量了Ag/Al界面比电阻，2AR(Ag/Al)(111) = 1.4 fOhm-m^2，该值是完美界面预测值的两倍，比2个单原子层(ML)的50%-50%合金的预测值大50%，甚至大于我们新预测的4个单原子层(ML)的50%-50%合金的1.3 fOhm-m^2。如此大的2ARAg/Al(111)值证实了其对界面无序的预测敏感性，并表明界面厚度大于或等于4个单原子层(ML)。根据我们的计算，完美界面的预测各向异性比2AR(Ag/Al)(001)/2AR(Ag/Al)(111)大于4，而对于4个单原子层(ML)的界面，该比值应降至小于2，使得检测此类各向异性变得更加困难。
引用
@article{arxiv.0906.0934,
title = {Sensitivity of Ag/Al Interface Specific Resistances to Interfacial Intermixing},
author = {A. Sharma and N. Theodoropoulou and Shuai Wang and Ke Xia and W. P. Pratt and J. Bass},
journal= {arXiv preprint arXiv:0906.0934},
year = {2015}
}
备注
3 pages, 2 figures, 1 table. In Press: Journal of Applied Physics