外加偏压诱导的量子霍尔效应特定平台
介观与纳米尺度物理
2009-10-30 v1
摘要
我们研究了在磁场和外部线性势作用下，具有 Dirichlet 边界条件的有限二维紧束缚电子系统的能谱和本征态。本征态表现出等势特征，并可能沿垂直于电场的方向穿过格子。当引线连接到格子时，携带电流的通道可能被等势线短路，导致在通常的 IQHE 平台之间出现额外的平台。这一想法通过四端 Landauer-Büttiker 方法内的数值计算得到证实。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9701036,
title = {Specific Plateaus of the Quantum Hall Effect Induced by an Applied Bias},
author = {A. Aldea and P. Gartner and A. Manolescu and M. Nita},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9701036},
year = {2009}
}
备注
9 pages, revtex, 2 gif figures and 5 postscript figures