超越玻恩近似的掺杂半导体中单粒子弛豫时间
材料科学
2019-09-04 v4
摘要
我们假设库仑杂质为随机分布的中心，通过比较变相位方法精确计算的单粒子弛豫时间与在一级玻恩近似下计算的掺杂半导体（如 Si 和 GaAs）相应结果的大小。我们发现，对于 Si 中典型的掺杂浓度，玻恩近似会高估单粒子弛豫时间约 40%，并低估约 30%。研究表明，在 GaAs 的情况下偏差通常较小。我们的分析表明，Si 中这些较大的偏差一般源于弗里德尔求和规则的强烈违背。这一破缺发生在随机相位近似开始失效的掺杂密度范围内。此外，我们的结果表明，对于高掺杂浓度，需要对电子-杂质散射进行多离子修正。
引用
@article{arxiv.1804.11337,
title = {Single-particle Relaxation Time in Doped Semiconductors beyond the Born Approximation},
author = {Gionni Marchetti},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.11337},
year = {2019}
}
备注
8 pages, 6 figures, final version accepted for publication by J. Appl. Physics