Mott 能隙磁蓝移的简化研究方法
强关联电子
2022-11-11 v2
摘要
Mott 绝缘体中反铁磁有序随温度降低而出现，伴随单粒子谱权重向低能转移以及 Mott 能隙向高能移动（磁蓝移，MBS）。MBS 由双交换与交换机制主导。两种机制均随轨道数增加而增强 MBS。通过对数值动力学平均场理论数据进行多项式拟合，我们给出了原型 Hubbard-Kondo-Heisenberg 模型的 MBS 关于跳跃与交换耦合的展开式，并讨论如何将结果推广应用于实际的 Mott 或电荷转移绝缘体材料。这使得以极简单的方式估算真实材料中电荷能隙的 MBS 成为可能，避免了繁重的理论计算。该方法以示例方式应用于 -MnTe、NiO 和 BiFeO，分别得到约 meV、 meV 和 meV 的 MBS。这些数值与先前的理论计算及可得的实验数据进行了比较。我们这一即用型 MBS 公式简化了未来寻找反铁磁有序与电荷激发间强耦合材料的研究，而这对实现飞秒时间尺度上的自旋-电荷相干耦合动力学至关重要。
引用
@article{arxiv.2208.01566,
title = {Simplified approach to the magnetic blue shift of Mott gaps},
author = {Mohsen Hafez-Torbati and Frithjof B. Anders and Götz S. Uhrig},
journal= {arXiv preprint arXiv:2208.01566},
year = {2022}
}
备注
17 pages, 13 figures