电压驱动阻性转变附近莫特绝缘体中的空间行为

我们发展了莫特绝缘体到关联金属的电压偏置驱动转变的实空间理论。在我们的 Keldysh 平均场方法中，该问题化简为这一开放系统中电荷与自旋分布的自洽方案。我们在零温下求解了二维反铁磁莫特绝缘体的这一问题。在零偏置时电荷与自旋大小在系统中是均匀的，但偏置 $V$ 会导致边缘附近在长度尺度 $\xi(V)$ 上的空间调制。随着 $V$ 增大趋向阈值尺度 $V_c$，$\xi(V)$ 迅速增长并变得与系统尺寸相当。绝缘体的线性响应电导为零，在 $V \ll V_c$ 时电流呈指数小。当 $V \rightarrow V_c$ 时电流迅速增加。在 $V_c$ 之外，我们观察到非均匀低矩反铁磁金属，而在更大偏置下为电流饱和的顺磁金属。我们提出了该非平衡系统谱特征的近似方案。