基于 p 型衬底实现的用于高辐照耐受应用的硅传感器
仪器与探测器
2008-11-26 v1
摘要
基于硅的微图形探测器是现代高能物理实验的基本组成部分。成本效益和高辐照耐受性是用于内部径迹探测装置的技术的两个重要要求。基于 p 型衬底的工艺对这些应用具有极强的吸引力。本文综述了近期结果和正在进行的原型工作。
引用
@article{arxiv.physics/0701270,
title = {Silicon Sensors implemented on p-type substrates for high radiation resistance applications},
author = {Marina Artuso},
journal= {arXiv preprint arXiv:physics/0701270},
year = {2008}
}
备注
7 pages, 2 figures; invited paper at Vertex 2006, Perugia, Italy, september 2006