60 keV 电子驱动石墨烯中硅 - 碳键的反转
介观与纳米尺度物理
2015-05-06 v2
摘要
我们证明了 60 keV 电子辐照驱动石墨烯中三配位 Si 掺杂剂一次一个晶格位点的扩散。第一性原理模拟揭示，每一步都是由电子撞击掺杂剂旁边的 C 原子引起的。虽然原子运动发生在我们的实验时间分辨率之下，但对 38 次此类晶格跳跃的随机分析显示，其发生概率与模拟结果吻合良好。从三配位到四配位掺杂剂结构的转变及其随后的逆过程，其可能性显著低于直接键反转。因此，我们的结果为二维材料提供了一种非破坏性且原子级精确的结构修饰与检测模型。
引用
@article{arxiv.1407.4274,
title = {Silicon-carbon bond inversions driven by 60 keV electrons in graphene},
author = {Toma Susi and Jani Kotakoski and Demie Kepaptsoglou and Clemens Mangler and Tracy C. Lovejoy and Ondrej L. Krivanek and Recep Zan and Ursel Bangert and Paola Ayala and Jannik C. Meyer and Quentin Ramasse},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.4274},
year = {2015}
}
备注
Article: 12 pages, 4 figures. Supplemental Material: 9 pages, 8 figures, 1 table