单层石墨烯中电子束诱导位移截面的精确测量
材料科学
2015-03-13 v2
摘要
我们提出了单层石墨烯中电子束诱导碳原子位移的精确测量和定量分析。通过计数随电子束能量和施加剂量变化的丢失原子，直接测量原子位移（“敲出”）截面。此外，通过比较普通（12C）和重（13C）石墨烯，我们将敲出损伤（源于束电子与靶原子核的碰撞）与其他辐射损伤机制（如电离损伤或化学刻蚀）区分开来。我们的分析表明，静态晶格近似不足以描述该材料中的敲出损伤，而如果考虑晶格振动，计算截面与实验截面之间可以获得非常好的一致性。
引用
@article{arxiv.1203.2372,
title = {An accurate measurement of electron beam induced displacement cross sections for single-layer graphene},
author = {J. C. Meyer and F. Eder and S. Kurasch and V. Skakalova and J. Kotakoski and H. -J. Park and S. Roth and A. Chuvilin and S. Eyhusen and G. Benner and A. V. Krasheninnikov and U. Kaiser},
journal= {arXiv preprint arXiv:1203.2372},
year = {2015}
}
备注
10 pages including supplementary info