温度对石墨烯中位移阈能的影响
材料科学
2019-09-18 v4
摘要
纳米材料的原子结构常使用透射电子显微镜进行研究。除了成像之外，高能电子在撞击样品时也可能造成损伤。在如石墨烯这样的良导体中，损伤仅限于由弹性电子-原子核碰撞引起的击出过程。该过程由原子被溅射所需的动能决定，即其位移阈能。通常假设对于晶体内等效原子上的所有电子撞击，该值具有固定值。本文利用密度泛函紧束缚模拟表明，位移阈能受到原子偏离平衡位置的热扰动的影响。我们表明，在位移截面的估算中，可通过用分布替代恒定阈值值来考虑这一点。改进后的模型更好地描述了先前对石墨烯击出损伤的精密测量，并且也应考虑用于其他低维材料。
引用
@article{arxiv.1811.04011,
title = {Influence of temperature on the displacement threshold energy in graphene},
author = {Alexandru I. Chirita Mihaila and Toma Susi and Jani Kotakoski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1811.04011},
year = {2019}
}
备注
10 pages, 6 figures