像差校正 STEM 下石墨烯边缘 Si 原子的电子束操控
材料科学
2018-08-06 v1
摘要
原子级材料控制这一新兴领域在未来量子与忆阻器件制造以及原子尺度化学基础研究中具有巨大前景。实现物质的原子逐一控制是一项复杂且持续的挑战。在此，我们探索了在扫描透射电子显微镜（STEM）中通过亚原子聚焦电子束对石墨烯边缘掺杂 Si 原子进行可控运动的可行性。我们证明了石墨烯边缘的 Si 原子可被清除，随后可由附近源材料补充。研究还展示了如何将 Si 边缘原子从小孔边缘推入石墨烯晶格内部，以及从晶格内部推回边缘。这是通过对石墨烯晶格边缘进行溅射以掩埋或暴露 Si 掺杂原子来实现的。这些实验是迈向通用原子级材料控制的初步一步。
引用
@article{arxiv.1710.10338,
title = {E-beam manipulation of Si atoms on graphene edges with aberration-corrected STEM},
author = {Ondrej Dyck and Songkil Kim and Sergei V. Kalinin and Stephen Jesse},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.10338},
year = {2018}
}