通过电子辐照实现单层硅碳的受控制造
材料科学
2024-06-06 v1
摘要
原子级精确设计和制备新型量子材料对于探索新物理及其器件应用至关重要。电子辐照已被证明是制备新型量子材料和量子结构的有效方法，这些材料在其他方式下可能难以获得。它具有对此类新材料及其与不同功能材料集成的图案化具有精确控制的优势。本文提出了一种新的制造策略，用于在石墨膜的纳米孔中制备无支撑单层 SiC。通过调节入射电子束能量和扫描透射电子显微镜（STEM）中的原位加热温度，我们可以有效控制纳米孔的图案化以及随后在石墨晶格中单层 SiC 的生长。所得的 SiC 单层与石墨晶格顺畅连接，形成一种由宽直接带隙构成的平面结构。我们的原位 STEM 观察进一步揭示，单层 SiC 在石墨纳米孔中的生长是由键旋转和原子排出组合驱动的，这为无支撑二维（2D）单层的原子级自组装提供了新的见解。
引用
@article{arxiv.2406.03383,
title = {Controlled fabrication of freestanding monolayer SiC by electron irradiation},
author = {Yunli Da and Ruichun Luo and Bao Lei and Wei Ji and Wu Zhou},
journal= {arXiv preprint arXiv:2406.03383},
year = {2024}
}