硫酸对石墨烯的双通道电荷转移掺杂
材料科学
2021-10-06 v1
摘要
以石墨烯和过渡金属硫族化物为代表的二维材料在强矿物酸中会发生电荷转移(CT)过程并成为空穴掺杂。然而，其机制仍不清楚或存在争议。本工作提出并验证了硫酸中两种不同的CT通道，分别由涉及O2/H2O氧化还原电对的氧还原反应以及硫酸氢根或相关物种的还原所驱动。利用拉曼光谱原位量化了石墨烯电荷密度随氧含量的酸致变化。在酸浓度低于6 M时，前一通道起作用，其需要溶解的O2。高于6 M时，CT程度更高，因为前一通道与后一通道协同作用，而后者不需要溶解氧。本研究揭示的机制将增进我们对低维材料如何与化学环境相互作用的基础理解。
引用
@article{arxiv.2110.01750,
title = {Dual-channel charge transfer doping of graphene by sulfuric acid},
author = {Kwnaghee Park and Sunmin Ryu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.01750},
year = {2021}
}
备注
3 pages, 3 figures