非对称圆柱同轴电容耦合等离子体中自偏压对工艺参数的依赖
加速器物理
2015-06-18 v1 超导电性
等离子体物理
摘要
射频同轴电容耦合 Ar/Cl2 等离子体被应用于处理超导射频腔的内壁。由于同轴等离子体内外电极之间的表面积差异，在内电极鞘层上建立了直流自偏压电势。自偏压电势测量被用作等离子体鞘层电压不对称性的指示。理解同轴等离子体中鞘层电压分布的不对称性对于修改三维物体的内表面十分重要。通过外部直流电源向内电极提供附加直流电流，对等离子体鞘层电压进行调整以处理外壁。测量了不同直径电极下的直流自偏压电势，并研究了其在气体压力、射频功率以及 Ar/Cl2 气体混合物中氯气百分比等工艺参数上的变化。针对相同工艺参数，测量了使自偏压电势降为零所需的直流电流。
引用
@article{arxiv.1506.05167,
title = {Self-bias Dependence on Process Parameters in Asymmetric Cylindrical Coaxial Capacitively Coupled Plasma},
author = {J. Upadhyay and Do Im and S. Popović and A. -M. Valente-Feliciano and L. Phillips and L. Vušković},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.05167},
year = {2015}
}