同轴 Ar/Cl2 射频等离子体中铌的刻蚀机制
加速器物理
2015-06-23 v1 等离子体物理
摘要
理解 Ar/Cl2 等离子体刻蚀机制对于三维铌 (Nb) 超导射频腔内表面的预期改性至关重要。在圆柱形结构中实现均匀的质量去除是一项具有挑战性的任务，因为刻蚀速率沿气流方向会发生变化。本研究在非对称同轴射频放电装置中进行，其中两个相同的 Nb 环作为外电极的一部分。确定了刻蚀速率均匀性对压力、射频功率、直流偏压、Cl2 浓度、内电极直径、外圆柱体温度以及样品在结构中位置的依赖关系。为了理解等离子体刻蚀机制，我们研究了若干对刻蚀速率和均匀性具有重要影响的因素，包括等离子体鞘层电势、Nb 表面温度和气体流速。
引用
@article{arxiv.1411.0176,
title = {Etching Mechanism of Niobium in Coaxial Ar/Cl2 RF Plasma},
author = {J. Upadhyay and Do Im and S. Popović and A. -M. Valente-Feliciano and L. Phillips and L. Vušković},
journal= {arXiv preprint arXiv:1411.0176},
year = {2015}
}