压力下 Dirac 半导体 Cd3As2 的超快光谱学
材料科学
2025-03-03 v1
摘要
由晶体旋转和时反演对称性保护的三维 Dirac 半导体 Cd3As2 的拓扑性质可通过施加压力进行调控。超快光谱学是一种独特的工具，用于探讨电子态的特征和时间演化，突出转换的特征。我们设计了一个用于 Cd3As2 现场压力依赖超快光泵-光探测光谱学的实验 setup，采用对称金刚石单刀头细胞。快速松弛过程在压力诱导的相变点 PC1（约 3 GPa）和 PC2（约 9 GPa）处显示出显著变化。PC2 之后出现一种新的亚皮秒时间尺度的松弛动力学。对两种带内、带间过程的差分反射率理论计算表明，负（正）差分反射率 (Delta R/R) 来自带间（带内）过程。PC1 之后松弛动力学振幅的压力依赖行为强调了必须包含二次带打开在计算中，以解释 Cd3As2 从 Dirac 半导体向半导体相变的过程。差分反射率的时间演化使用由两个温度模型提供的电子温度随时间变化进行计算，该模型与实验数据吻合。
引用
@article{arxiv.2411.15791,
title = {Ultrafast Spectroscopy of Dirac Semimetal Cd3As2 under Pressure},
author = {Vikas Arora and D. V. S. Muthu and R Sankar and A K Sood},
journal= {arXiv preprint arXiv:2411.15791},
year = {2025}
}
备注
20 pages, 5 figures