光激发Cd$_3$As$_2$的瞬态反射率
材料科学
2015-06-12 v2
摘要
我们报道了在室温和80 K下对三维狄拉克半金属砷化镉(Cd3As2)晶体的超快瞬态光栅测量。在用1.5-eV光子光激发后，电荷载流子通过两个过程弛豫，一个持续500 fs，另一个持续3.1 ps。通过测量反射率变化的复相位，我们确定在探测能量处，较快的信号对应于吸收减少，而较慢的信号对应于光相速度减小。我们将这些信号归因于电子对相空间的填充，首先靠近光子能量，随后在较低能量处。我们将它们的衰减归因于通过快速发射光学声子冷却，然后是较慢的声学声子发射。我们还提供了电子和晶格均被强烈加热的证据。
引用
@article{arxiv.1502.07007,
title = {Transient reflectance of photoexcited Cd$_3$As$_2$},
author = {C. P. Weber and Ernest Arushanov and Bryan S. Berggren and Tahereh Hosseini and Nikolai Kouklin and Alex Nateprov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.07007},
year = {2015}
}
备注
8 pages, 7 figures. Differs from the previous version in incorporating changes made during the review process and new appendices. Differs from the published version in including section headings and in omitting AIP copy-edits. No substantial differences in scientific conclusions from either version