亚 10 纳米 Cr 掺杂 V2O3 纳米晶中尽管存在表面死层生长仍具有稳健的金属-绝缘体转变
强关联电子
2026-04-29 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们利用互补探测深度的光电子能谱以及磁化率测量，研究了 Cr 掺杂 V2O3 纳米晶中金属-绝缘体转变（MIT）的尺寸依赖性。光电子能谱表明，MIT 特征持续存在至 5.6 nm 的平均颗粒尺寸，且磁化率测量表现出几乎与尺寸无关的转变起始。对表面敏感和更深探测的光电子能谱之间的对比表明，该转变在纳米晶内部得以存续。同时，光谱表明相干准粒子权重随尺寸减小而系统性抑制，指向绝缘表面死层的生长。这些结果表明，纳米化本身并不会消除 MIT，而是逐渐增强了表面驱动的绝缘行为的影响，从而为 Mott 器件小型化的实际极限提供了见解。
引用
@article{arxiv.2604.25488,
title = {Robust Metal-Insulator Transition Despite Surface Dead-Layer Growth in Sub-10-nm Cr-Doped V2O3 Nanocrystals},
author = {Yoichi Ishiwata and Ichidai Harada and Masaki Imamura and Kazutoshi Takahashi and Hirofumi Ishii and Masato Yoshimura and Nozomu Hiraoka and Yuji Inagaki and Kenta Akashi and Tatsuya Kawae and Tetsuya Kida and Masashi Nantoh},
journal= {arXiv preprint arXiv:2604.25488},
year = {2026}
}
备注
6 pages, 6 figures