揭示二维莫尔半导体中的导带与赝矢量势
介观与纳米尺度物理
2023-09-21 v1
摘要
堆叠单层半导体会产生莫尔图样，其上承载诸多关联与拓扑电子现象，但支撑这些现象的基本电子结构测量十分匮乏。在此，我们利用带静电栅极的亚微米角分辨光电子能谱研究莫尔异质双层中导带的性质，以 WS2/WSe2 为例。我们发现所有扭转角下导带边均为 WS2 的 K 点谷，带隙为 1.58 ± 0.03 eV。通过解析导带色散，我们观测到出乎意料小的有效质量 0.15 ± 0.02 m_e。此外，我们观测到由莫尔超晶格倒格矢位移的导带复制带。我们提出论据与证据，表明这些复制带源于莫尔势对导带态的修饰，而非末态衍射。有趣的是，复制带呈现强度图案具有降低的 3 重对称性，我们证明这意味着莫尔能带形成中面内应变相关的赝矢量势。
引用
@article{arxiv.2309.10964,
title = {Revealing the conduction band and pseudovector potential in 2D moir\'e semiconductors},
author = {Abigail J. Graham and Heonjoon Park and Paul V. Nguyen and James Nunn and Viktor Kandyba and Mattia Cattelan and Alessio Giampietri and Alexei Barinov and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Anton Andreev and Mark Rudner and Xiaodong Xu and Neil R. Wilson and David H. Cobden},
journal= {arXiv preprint arXiv:2309.10964},
year = {2023}
}
备注
Main text: 12 pages, 4 figures. Appended Supporting Information: 10 pages, 11 figures