揭示卤化物活化的快速 MoS2 生长中的 Brønsted-Evans-Polanyi 关系以实现毫米级二维晶体
材料科学
2021-11-10 v1
摘要
获得大尺寸二维（2D）晶体是充分利用其卓越功能与应用潜力的关键。诸如单层 MoS2 等 2D 半导体的化学气相沉积（CVD）生长已被报道受卤化物盐活化，但其潜在机制的明确辨识仍不清楚。在此，我们提供了明确的实验证据，表明 MoS2 生长动力学通过 Brønsted-Evans-Polanyi 关系依赖于卤素种类；基于此，我们通过考虑卤素对 MoS2 边缘的钝化建立了一个生长模型，并从理论上复现了我们实验观测的趋势。这些机理认识使我们能够进一步优化 MoS2 的快速生长，并达到创纪录的大畴尺寸，从而有助于实际应用。
引用
@article{arxiv.2103.07031,
title = {Revealing the Br{\o}nsted-Evans-Polanyi Relation in Halide-Activated Fast MoS2 Growth Towards Millimeter-Sized 2D Crystals},
author = {Qingqing Ji and Cong Su and Nannan Mao and Xuezeng Tian and Juan-Carlos Idrobo and Jianwei Miao and William A. Tisdale and Alex Zettl and Ju Li and Jing Kong},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.07031},
year = {2021}
}
备注
18 pages, 5 figures