量子阱中共振杂质态驱动的拓扑转变
介观与纳米尺度物理
2016-05-24 v1
摘要
我们从理论上证明，一种新型量子阱系统可以基于16带kp模型实现拓扑转变。利用掺杂杂质引入的应变、掺杂氮引起的带反交叉以及掺杂铋引起的价带反交叉，量子阱的带隙迅速减小甚至变为负值。由此产生拓扑转变。此外，我们计算了带隙作为氮和铋浓度函数的关系，其中负带隙对应于拓扑相。注意到由N引入的拉伸应变与由Bi引入的应变相结合所导致的应变抵消，我们可以轻松调节N与Bi的比例以满足晶体生长过程中的应变要求。我们的方案利用半导体制造技术，为传统半导体系统中的拓扑绝缘体提供了一条有前景的途径。
引用
@article{arxiv.1605.07077,
title = {Resonant impurities states-driven topological transition in quantum well},
author = {Zhi-Gang Song and Wei-Jun Fan and Yan-Yang Zhang and Shu-Shen Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.07077},
year = {2016}
}
备注
5 pages and 3 figures