远程外延挫败
材料科学
2025-12-09 v1
摘要
远程外延放松了传统外延的约束，以实现低缺陷密度、化学突变型异质结构以及单晶膜的剥离。然而，对于真正远程机制的确凿证据仍然难以获得，因为大多数实验可以用与真正远程外延宏观上不可区分的替代机制来解释。利用在石墨烯/SiC (0001)上生长的GdAuGe薄膜，我们展示了两种无法用远程机制的主要替代方案来解释的特征：（1）GdAuGe/石墨烯界面处几原子层厚的无序中间层，（2）GdAuGe薄膜与SiC衬底之间30°旋转的外延关系。密度泛函理论计算表明，这些特征源于远程外延挫败，即对外延到远程屏蔽衬底、石墨烯以及石墨烯诱导的界面重构之间的竞争。调节这些竞争势的振幅和周期性为有意破坏长程有序提供了新的机会。
引用
@article{arxiv.2512.06986,
title = {Remote epitaxial frustration},
author = {Taehwan Jung and Nicholas Hagopian and Anshu Sirohi and Quinn Campbell and Chengye Dong and Zachary T. LaDuca and Tamalika Samanta and Joshua Robinson and Paul M. Voyles and Jason K. Kawasaki},
journal= {arXiv preprint arXiv:2512.06986},
year = {2025}
}