p-SnS 薄膜的折射率及其对缺陷的依赖性
材料科学
2016-02-02 v1
摘要
在玻璃衬底上生长了 p 型导电的硫化锡薄膜。利用透射和椭偏数据计算所得的原生薄膜折射率，被发现遵循 Sellmeier 色散模型。利用椭偏测量获得的色散数据的改进，通过 Wemple-Dedomenico (WDD) 单振子模型拟合得到验证。发现薄膜的光学性质与薄膜的结构性质密切相关。带隙及其展宽、以及带隙内缺陷能级的出现，密切控制着薄膜的折射率。
引用
@article{arxiv.1602.00120,
title = {Refractive Index of p-SnS Thin Films and its Dependence on Defects},
author = {Yashika Gupta and P. Arun},
journal= {arXiv preprint arXiv:1602.00120},
year = {2016}
}
备注
12 figures