基于反射率的硅烷基材料折射率测量

我们提出了一种基于反射率的方法，用于测量透明硅烷基(van der Waals, vdW)材料的平面折射率。该方法能够在不假设折射率特定光谱形状的情况下，对直径为 $3 \times 3$~{\textmu}m$^2$ 的石墨烯状薄片进行表征。石墨烯状薄片通常通过机械石英法获得，此方法通常产生直径为微米级的硅烷基薄片。因此，依赖于大面积均匀区域和特定光谱模型的常规椭圆率测量变得难以应用。本方法通过反射率极小值的位置直接确定折射率，前提是已知薄片厚度和基底的复折射率。我们对 hafnium 二硫化物 (HfS$_2$) 进行了技术演示，这是一种具有高折射率和低吸收性的硅烷基半导体，成功获取了其在可见光谱范围内的平面折射率。结果既验证了先前的椭圆率测量，也确立了该方法作为硅烷基材料折射率表征的一种可访问且无需光谱模型的替代方案。