利用受主掺杂降低Pt/SrTiOx/Pt电容器单极电阻开关中的高复位电流
材料科学
2015-05-18 v1
摘要
单极电阻开关中的高复位电流IR是非易失性存储器实际应用中需要解决的重要问题。我们表明，在形成和置位过程中，限流电流Icomp可以作为降低IR的关键参数。掺入Co或Mn可以显著降低SrTiOx薄膜电容器的漏电流，从而为Icomp打开更大的操作窗口。通过受主掺杂降低Icomp，我们能够将SrTiOx薄膜中的IR降低约20倍。我们的工作表明，通过载流子掺杂降低Icomp可能是降低单极电阻开关中IR的一个可行替代方案。
引用
@article{arxiv.1003.1390,
title = {Reduction of high reset currents in unipolar resistance switching Pt/SrTiOx/Pt capacitors using acceptor doping},
author = {S. B. Lee and A. Kim and J. S. Lee and S. H. Chang and H. K. Yoo and T. W. Noh and B. Kahng and M. -J. Lee and C. J. Kim and B. S. Kang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.1390},
year = {2015}
}
备注
14 pages, 3 figures