利用改进的限流器稳定单极性电阻开关中的形成过程
材料科学
2015-05-19 v1
摘要
单极性电阻开关中较高的复位电流IR目前对存储器件中的实际应用构成了主要障碍。特别是，形成过程后的第一个IR值如此之高，以至于电容器有时无法表现出可靠的单极性电阻开关行为。我们发现，限流电流Icomp是降低IR值的关键参数。因此，我们引入了一种改进的、简单易用的Icomp限流器，通过大幅减少电流过冲来稳定形成过程，从而精确控制Icomp及随后的IR值。
引用
@article{arxiv.1006.5132,
title = {Stabilizing the forming process in unipolar resistance switching using an improved compliance current limiter},
author = {S. B. Lee and S. H. Chang and H. K. Yoo and B. S. Kang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1006.5132},
year = {2015}
}
备注
15 pages, 4 figures