从InAlAs量子点到AlAs的载流子隧穿的实现
介观与纳米尺度物理
2013-03-25 v1
摘要
为了提高太阳能电池效率，利用分子束外延生长了一种实现电子从In0.6Al0.4As量子点(QDs)通过Al0.4Ga0.6As势垒隧穿到AlAs的结构。当势垒厚度从4 nm减小到2 nm时，光致发光衰减时间从1.1 ns降至390 ps，这表明对于2 nm的势垒厚度，光激发载流子在0.6 ns内从量子点隧穿到AlAs的X能级，这明显长于GaAs和InAlAs量子阱的隧穿时间。我们期望该结构将有助于开发高效量子点敏化太阳能电池。
引用
@article{arxiv.1303.5476,
title = {Realization of Carrier Tunneling from InAlAs Quantum Dots to AlAs},
author = {Masataka Koyama and Dai Suzuki and Xiangmeng Lu and Yoshiaki Nakata and Shunichi Muto},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.5476},
year = {2013}
}
备注
26 pages, 11 figures