范德华键合半导体晶体中辐射诱导的电子陷阱态与局部结构无序
材料科学
2016-05-16 v7
摘要
在受控 X 射线辐照实验中，定量研究了原型范德华键合半导体并四苯（Rubrene）中陷阱态的形成，剂量高达 82 Gy（Gy = J/kg）。每个吸收的 8 keV 光子会产生约 100 个位于价带上方约 0.3 eV 处的电子陷阱态，这比 1 MeV 质子产生的数量多出 2-3 个数量级。研究表明，热退火可以减少这些陷阱。因此，局部结构无序（在其他研究中也被证实可由其他手段诱导）被确定为范德华键合分子有机半导体中陷阱态的共同起源。
引用
@article{arxiv.1303.3831,
title = {Radiation induced electronic trap states and local structural disorder in van~der~Waals bonded semiconductor crystals},
author = {Tobias Morf and Tino Zimmerling and Simon Haas and Bertram Batlogg},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.3831},
year = {2016}
}
备注
5 pages, 4 figures; revised text implementing a referees feedback regarding the interpretation/conclusion