过渡金属硫族化合物气泡中应变诱导的束缚态
介观与纳米尺度物理
2019-02-08 v2 材料科学
摘要
我们从理论上研究了在过渡金属硫族化合物(TMDs)单层中由气泡中心处的应变所限制的单粒子束缚态的形成。在基底上的二维晶体中,由于范德瓦耳斯力与 trapped 流体施加的静水压力之间的竞争,气泡普遍形成。这导致气泡中心处产生强应变,在局部减小带隙,为电子形成限制其内部态的势阱。我们模拟了四种半导体性 VI 族 TMDs(MoS、WSe、WS 和 MoSe)的能谱随气泡半径的变化,并发现了气泡束缚态的整体 Fock-Darwin 谱,其特征是与贝里曲率效应相符的微小偏差。我们分析了态密度、态简并度、轨道结构和光学跃迁选择定则。我们的结果表明,这些材料中的弹性气泡在限制光生载流子方面异常高效。
引用
@article{arxiv.1811.01890,
title = {Strain-induced bound states in transition-metal dichalcogenide bubbles},
author = {L. Chirolli and E. Prada and F. Guinea and R. Roldán and P. San-Jose},
journal= {arXiv preprint arXiv:1811.01890},
year = {2019}
}
备注
8 pages, 6 figures