过渡金属二硫族化合物单层中应变诱导限制的理论
介观与纳米尺度物理
2018-06-06 v1
摘要
近期对过渡金属二硫族化合物 (TMD) 单层面外应变几何构型的实验研究表明，其具有足够的带隙重整化，可用于单光子发射器等器件应用。本文使用简单的连续介质力学板理论方法，估计了沉积在纳米柱阵列上的 TMD 单层的形貌。基于这种几何构型，给出了诱导的导带势和带隙重整化，表明势的曲率与形变纳米柱的高度无关。此外，利用半经典 WKB 近似，可以计算出应变势中电子的预期逃逸率作为形变纳米柱高度的函数。该方法与实验相符，支持了近期关于增加纳米柱高度会减小柱尖处观察到的单光子发射器线宽的发现，并预测了对于具有一致形貌的系统，光子能量随纳米柱高度的偏移。
引用
@article{arxiv.1803.09658,
title = {Theory of Strain-Induced Confinement in Transition Metal Dichalcogenide Monolayers},
author = {Matthew Brooks and Guido Burkard},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.09658},
year = {2018}
}
备注
8 pages, 9 figures