有机薄膜晶体管中高斯无序陷阱的解析模型
应用物理
2024-05-21 v1 材料科学
摘要
有机半导体中存在结构缺陷与化学杂质，作为激发态的陷阱中心。本工作提出一种新颖的解析模型，用于计算两个高斯态密度之间的俘获与去俘获速率。该模型采用Miller-Abrahams速率与Fermi-Dirac统计。针对关联能带引入有效占据与空 site，极大简化了复合速率的表达式。利用技术计算机辅助设计(TCAD)模拟器对基于有机半导体DPP-DTT的薄膜晶体管中的类施主陷阱进行仿真，结果与实测转移特性吻合良好。
引用
@article{arxiv.2106.15460,
title = {Analytical Model for Gaussian Disorder Traps in Organic Thin-Film Transistor},
author = {Qiusong Chen and Juan E. Sanchez and Dong Lin and Yanlian Lei and Guodong Zhu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2106.15460},
year = {2024}
}